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Nella Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) precursori gassosi e vapori di metalli-organici sono utilizzati per la deposizione a bassa pressione (circa 50-100 mbar) di strati sottili di materiali semiconduttori. I reagenti sono miscelati in concentrazioni opportune e trasportati verso una camera di crescita ad alta temperatura da un opportuno gas di trascinamento (idrogeno, argon, azoto, etc.).
![SiC reactor](/sites/default/files/inline-images/IMG_20140129_095315.jpg)
All'IMEM sono installati reattori MOVPE per la deposizione di strati sottili di:
- 3C-SiC:
- temperatura massima di circa 1500 °C
- reagenti: silano, propano, azoto, etilene, triclorosilano
- gas carrier: idrogeno
- dimensione del substrato: circa 2.5x5 cm2
- Nanofili di germanio
- temperatura massima di circa 1500 °C, temperatura di processo circa 400 °C
- reagenti: isobutilgermanio, silano, trimetilgallio
- gas carrier: idrogeno
- dimensione del substrato: circa 2.5x5 cm2
- Ga2O3
- temperatura massima di circa 700 °C
- reagenti: trimetilgallio, acqua, silano
- gas carrier: idrogeno, azoto, argon/elio
- dimensione del substrato: 2''