Crescita di Materiali Nanostrutturati e Funzionali - MOVPE

   PER MAGGIORI INFORMAZIONI: Matteo Bosi - +39 0521269288 - matteo.bosi@imem.cnr.it

Nella Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)  precursori gassosi e vapori di metalli-organici sono utilizzati per la deposizione a bassa pressione (circa 50-100 mbar) di strati sottili di materiali semiconduttori. I reagenti sono miscelati in concentrazioni opportune e trasportati verso una camera di crescita ad alta temperatura da un opportuno gas di trascinamento (idrogeno, argon, azoto, etc.).  

All'IMEM sono installati reattori MOVPE per la deposizione di strati sottili di:

• 3C-SiC:
  • temperatura massima di circa 1500 °C
  • reagenti: silano, propano, azoto, etilene, triclorosilano
  • gas carrier: idrogeno
  • dimensione del substrato: circa 2.5x5 cm²
• Nanofili di germanio
  • temperatura massima di circa 1500 °C, temperatura di processo circa 400 °C
  • reagenti: isobutilgermanio, silano, trimetilgallio
  • gas carrier: idrogeno
  • dimensione del substrato: circa 2.5x5 cm²
• Ga2O3
  • temperatura massima di circa 700 °C
  • reagenti: trimetilgallio, acqua, silano
  • gas carrier: idrogeno, azoto, argon/elio
  • dimensione del substrato: 2''