Crescita di Materiali Nanostrutturati e Funzionali
Referente: Verucchi Roberto
MOVPE
   PER MAGGIORI INFORMAZIONI: Matteo Bosi - +39 0521269288 - matteo.bosi@imem.cnr.it

 

Nella Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)  precursori gassosi e vapori di metalli-organici sono utilizzati per la deposizione a bassa pressione (circa 50-100 mbar) di strati sottili di materiali semiconduttori. I reagenti sono miscelati in concentrazioni opportune e trasportati verso una camera di crescita ad alta temperatura da un opportuno gas di trascinamento (idrogeno, argon, azoto, etc.).  

SiC reactor
Reattore MOVPE per la deposizione epitassiale di 3C-SiC 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

All'IMEM sono installati reattori MOVPE per la deposizione di strati sottili di:

  • 3C-SiC:
    • temperatura massima di circa 1500 °C
    • reagenti: silano, propano, azoto, etilene, triclorosilano
    • gas carrier: idrogeno
    • dimensione del substrato: circa 2.5x5 cm2
  • Nanofili di germanio
    • temperatura massima di circa 1500 °C, temperatura di processo circa 400 °C
    • reagenti: isobutilgermanio, silano, trimetilgallio
    • gas carrier: idrogeno
    • dimensione del substrato: circa 2.5x5 cm2
  • Ga2O3
    • temperatura massima di circa 700 °C
    • reagenti: trimetilgallio, acqua, silano
    • gas carrier: idrogeno, azoto, argon/elio
    • dimensione del substrato: 2''