![](/themes/at_imem/images/infoicon_adr6.png)
Diffrazione ad alta risoluzione e mappe di reticolo reciproco
Setup e metodologia:
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Diffrattometro X-Pert-Pro ad alta risoluzione con monocromatore Goebel e cristalli analizzatori sul fascio incidente e sul fascio diffratto in grado di ridurre la dispersione cromatica a 10-4 e la risoluzione angolare a 12 secondi d'arco.
Highlight:
![mappa di reticolo reciproco](/sites/default/files/inline-images/mappa%20di%20reticolo%20reciproco.jpg)
Mappa di reticolo reciproco di strati di SiGe e Ge alternati (SR) cresciuti su un buffer layer di SiGe a composizione gradata su substrato di silicio.
Metodo delle mappe polari e della misura della tessitura in film sottili e leghe
Setup e metodologia:
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Misura di "tessitura", mappe polari di film sottili e materiali | Schema di misura |
Highlight:
![esempio di figure polari](/sites/default/files/inline-images/figure%20polari.jpg)
Mappe polari di un film di Ga2O3 su zaffiro, che mostrano la rotazione dei due reticoli.
Topografia a raggi X a doppio cristallo
Setup e metodologia:
Highlight:
![Top1](/sites/default/files/inline-images/Top1.jpg)
![Top2](/sites/default/files/inline-images/Top2.jpg)
Topografie a raggi X di un wafer di SiC, diffrazione 11-28, in presenza di dislocazioni (sinistra) e un bordo di grano a basso angolo (destra). Il lato orizzontale dell'immagine corrisponde a 3.3 mm.
Diffrazione da film sottili
Setup e metodologia:
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Diffrattometro per film sottili con monocromatore Goebel
Highlight:
Profili di diffrazione di film di Ga2O3 su range angolare tra 10° e 150° depositati su subtrato di zaffiro.