![](/themes/at_imem/images/infoicon_adr6.png)
Setup
![setup](/sites/default/files/inline-images/setup%20AES.png)
Analizzatore VSW HA100 con control unit PSP @ IMEM-Trento
LEG62 ThermoVG electron gun
Maximum electron beam energy 5 keV
Maximum current 20 µA
Spot size fino a 5 µm
Scanning Electron Microscopy (SEM) mode
(rilevazione fotoni secondari emessi nel processo Auger) risoluzione ~3 µm
Metodologia
Questa spettroscopia elettronica sfrutta l’effetto Auger per la produzione di elettroni da livelli energetici profondi, ed è utilizzata per un’analisi composizionale e chimica di superficie. È un processo a tre particelle che porta all’emissione di un elettrone secondario da livelli di valenza a seguito dell’eccitazione di elettrone primario da un livello di core, per mezzo di un fascio di elettroni.
![scheme of the process](/sites/default/files/inline-images/AES%20metodologia.png)
È una tecnica complementare ad XPS e sonda gli strati superficiali di materiali conduttori e semiconduttori. Non si applica ad isolanti o materiali che si degradano facilmente sotto un flusso di elettroni.
Si applica in combinazione a tecniche di sputtering per profili composizionali in profondità.
Highlights
![spectra](/sites/default/files/inline-images/AES%20highlight%20a.png)
Nanofili di ossido di silicio (SiOx) sono trattati con ioni Ar per la rimozione del carbonio superficiale. Tramite AES si segue l’efficacia del trattamento ed è possibile individuare carbonio residuo attribuibile a cluster embedded nel nanofilo.
Questo C dà luogo a fenomeni di luminescenza indotti dallo stesso fascio di elettroni utilizzato per la spettroscopia Auger. Ref:Nanotechnology 2014
![luminescence](/sites/default/files/inline-images/AES%20highlight%20b_0.png)