PER MAGGIORI INFO SU QUESTA TECNICA: Lucrezia Aversa (lucrezia.aversa@cnr.it, tel 0461-314823)Setup
Analizzatore VSW HA100 con control unit PSP @ IMEM-Trento
LEG62 ThermoVG electron gun
Maximum electron beam energy 5 keV
Maximum current 20 µA
Spot size fino a 5 µm
Scanning Electron Microscopy (SEM) mode
(rilevazione fotoni secondari emessi nel processo Auger) risoluzione ~3 µm
Metodologia
Questa spettroscopia elettronica sfrutta l’effetto Auger per la produzione di elettroni da livelli energetici profondi, ed è utilizzata per un’analisi composizionale e chimica di superficie. È un processo a tre particelle che porta all’emissione di un elettrone secondario da livelli di valenza a seguito dell’eccitazione di elettrone primario da un livello di core, per mezzo di un fascio di elettroni.
È una tecnica complementare ad XPS e sonda gli strati superficiali di materiali conduttori e semiconduttori. Non si applica ad isolanti o materiali che si degradano facilmente sotto un flusso di elettroni.
Si applica in combinazione a tecniche di sputtering per profili composizionali in profondità.
Highlights
Nanofili di ossido di silicio (SiOx) sono trattati con ioni Ar per la rimozione del carbonio superficiale. Tramite AES si segue l’efficacia del trattamento ed è possibile individuare carbonio residuo attribuibile a cluster embedded nel nanofilo.
Questo C dà luogo a fenomeni di luminescenza indotti dallo stesso fascio di elettroni utilizzato per la spettroscopia Auger. Ref:Nanotechnology 2014
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